TechWeb报道 11月25日消息，高通之前已经正式发布了新一代旗舰骁龙835处理器（MSM8998），直接绕过了骁龙830产品，重回八核设计。现在高通在深圳举办了技术会议，对于骁龙835处理器也透露了不少信息。

性能方面，高通骁龙835处理器（MSM8998）将使用10nm FinFET工艺制造，并且会与三星进行合作，性能提升27%，外界认为这是一款8核Big.Little芯片，大核是Kryo 200，主频逼近3GHz。该处理器集成首款X16基带支持Cat.16，下行速率可达1Gbps，也就是千兆，而X12为600Mbps（Cat.12 DL），150Mbps（Cat.13 UL）。

据微博业界人士透露，骁龙835（MSM8998）将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo架构，大核心频率3GHz，小核心频率2.4GHz，GPU为Adreno 540，支持4K屏,支持UFS 2.1，支持双摄技术，支持QC4.0快充技术以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。

最后，高通官方透露搭载骁龙835的手机会在明年初上市，根据业界人士透露的时间表2017年第二季度才能看到骁龙835的手机，拭目以待。